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厂家供应LPCVD氧化炉 扩散炉改造翻新
品牌：赛尔型号：lpcvd类型：扩散炉窑炉内最高温度：1300℃工作温度：1200℃功率：8kw最大电压：360V外形尺寸：5000mm重量：1000kgLPCVD是在低压加热条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。LPCVD广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业中。LPCVD技术指标 1.1工作温度：300～900℃1.2适
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2020-01-31 |
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厂家供应LPCVD高温氧化炉 扩散炉
品牌：赛尔型号：lpcvd类型：扩散炉窑炉内最高温度：1300℃工作温度：1200℃功率：8kw最大电压：360V外形尺寸：5000mm重量：1000kgLPCVD是在低压加热条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。LPCVD广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业中。 LPCVD技术指标 1.1工作温度：300～900℃1.2
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2019-12-06 |
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高温扩散炉
品牌：青岛赛尔型号：扩散类型：长条台流水线加工定制：加工定制用途：4机架材质：0321工作台板材质：023工作台尺寸：023mm输送带材质：0123输送带尺寸：0213mm的：都是湿的：湿的微控扩散炉是半导体器件及大规模集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种热加工设备，相对程控扩散炉来讲
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2019-11-24 |
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高温扩散炉 lpcvd 扩散炉炉体 氧化炉
品牌：青岛赛尔型号：扩散类型：长条台流水线加工定制：加工定制用途：4机架材质：0321工作台板材质：023工作台尺寸：023mm输送带材质：0123输送带尺寸：0213mm的：都是湿的：湿的微控扩散炉是半导体器件及大规模集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种热加工设备，相对程控扩散炉来讲
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2019-10-30 |
新闻中心